产品概览

产品型号
TPH3202LS
现有数量
0
制造商
Transphorm
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品描述
GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN

产品详情

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
9.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
760pF @ 480V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
3-PowerDFN
Part Status :
Obsolete
Power Dissipation (Max) :
65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350mOhm @ 5.5A, 8V
Supplier Device Package :
3-PQFN (8x8)
Technology :
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) :
±18V
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA

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